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HGTP12N60A4D
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HGTP12N60A4D 数据手册 (8 页)
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HGTP12N60A4D 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
54.0 A
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
167 W
上升时间
8.00 ns
击穿电压(集电极-发射极)
600 V

HGTP12N60A4D 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
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HGTP12N60A4D 数据手册

Intersil(英特矽尔)
8 页 / 0.16 MByte

HGTP12N60A4 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTP12N60A4D  单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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