器件3D模型

￥ 2.873

HIP2100IBZT7A 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

封装:

SOIC-8

描述:

HIP2100 系列低压侧/高压侧 N沟道 114 V 2 A 半桥驱动器 - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HIP2100IBZT7A 数据手册 (13 页)

引脚图在6 页Hot

封装尺寸在1 页 12 页

原理图在2 页 3 页

HIP2100IBZT7A 数据手册 (13 页)

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HIP2100IBZT7A 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

输出接口数

2 Output

针脚数

8 Position

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1300 mW

电源电压

9V ~ 14V

电源电压(Max)

14 V

电源电压(Min)

9 V

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HIP2100IBZT7A 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-40℃ ~ 125℃

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HIP2100IBZT7A 符合标准

HIP2100IBZT7A 概述

HIP2100IBZT7A 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

13 页 / 0.37 MByte

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