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器件3D模型
¥ 2.822
HIP2101IR4ZT 数据手册 - Renesas Electronics(瑞萨电子)
制造商:
Renesas Electronics(瑞萨电子)
分类:
FET驱动器
封装:
VFDFN-12
描述:
半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
HIP2101IR4ZT 数据手册 (13 页)
引脚图
在
6 页
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HIP2101IR4ZT 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
VFDFN-12
输出接口数
2 Output
电源电压
9V ~ 14V
查看数据手册 >
HIP2101IR4ZT 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
HIP2101IR4ZT 符合标准
HIP2101IR4ZT 概述
●
半桥 栅极驱动器 IC 非反相 12-DFN(4x4)
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