器件3D模型

￥ 7.372

HMC349AMS8G 数据手册 - ADI（亚德诺）

制造商:

ADI（亚德诺）

分类:

RF射频器件

封装:

SOP

描述:

SPDT非反射开关,直流到4 GHz

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

HMC349AMS8G 数据手册 (21 页)

封装尺寸在18 页 19 页 20 页

典型应用电路图在1 页

HMC349AMS8G 数据手册 (21 页)

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HMC349AMS8G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

SOP

供电电流

1.2 mA

功耗

969 mW

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

969 mW

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HMC349AMS8G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 85℃

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HMC349AMS8G 符合标准

HMC349AMS8G 海关信息

HMC349AMS8G 数据手册

ADI（亚德诺）

21 页 / 0.57 MByte

HMC349AMS8G 其他数据使用手册

ADI（亚德诺）

11 页 / 0.38 MByte

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射频开关, GaAs MMIC SPDT, 100MHz至4GHz, 3V至5V电源, MSOP-8

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高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100 MHz至4 GHz

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SPDT非反射开关,直流到4 GHz

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