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Datasheet 搜索 > 放大器IC与RF模块 > ADI(亚德诺) > HMC414MS8GE Datasheet 文档
HMC414MS8GE
器件3D模型
0.147
HMC414MS8GE 数据手册 (10 页)
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HMC414MS8GE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
2.2GHz ~ 2.8GHz
引脚数
8 Pin
电源电压
2.75V (min)
封装
MSOP-8
供电电流
300 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
功耗
1755 mW
输出功率
27 dBm
增益
20 dB
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1755 mW
电源电压
2.75V ~ 5V
电源电压(Max)
5 V
电源电压(Min)
2.75 V

HMC414MS8GE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

HMC414MS8GE 数据手册

ADI(亚德诺)
10 页 / 0.58 MByte
ADI(亚德诺)
16 页 / 0.78 MByte
ADI(亚德诺)
9 页 / 0.18 MByte

HMC414MS8 数据手册

ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  HMC414MS8GE.  芯片, INGAP HBT功率放大器, SMT 2.2 - 2.8 GHZ
ADI(亚德诺)
Hittite
射频放大器 InGaP HBT pow amp SMT, 2.2 - 2.8 GHz
ADI(亚德诺)
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