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HN1C03FU-B,LF
器件3D模型
0.051
HN1C03FU-B,LF 数据手册 (5 页)
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HN1C03FU-B,LF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TSSOP-6
击穿电压(集电极-发射极)
20 V
最小电流放大倍数
350 @4mA, 2V
额定功率(Max)
200 mW

HN1C03FU-B,LF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
150℃ (TJ)

HN1C03FU-B,LF 数据手册

Toshiba(东芝)
5 页 / 0.28 MByte

HN1C03 数据手册

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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
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