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器件3D模型
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HN3C51F-GR 数据手册 - Toshiba（东芝）
制造商:
Toshiba（东芝）
封装:
SM
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
HN3C51F-GR 数据手册
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HN3C51F-GR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SM
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 6V
额定功率(Max)
300 mW
HN3C51F-GR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
HN3C51F-GR 符合标准
HN3C51F-GR 数据手册
HN3C51F-GR
其他数据使用手册
Toshiba（东芝）
4 页 / 0.33 MByte
HN3C51 数据手册
HN3C51
F-BL(TE85L,F
数据手册
Toshiba（东芝）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
HN3C51
F-GR(TE85L,F
数据手册
Toshiba（东芝）
HN3C51
F-GR
数据手册
Toshiba（东芝）
HN3C51
F
数据手册
Toshiba（东芝）
HN3C51
F-GR(TE85L,F)
数据手册
Toshiba（东芝）
HN3C51
F-BL(TE85L,F)
数据手册
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