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HN4C51J(TE85L,F) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-25-5

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

HN4C51J(TE85L,F) 数据手册 (4 页)

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HN4C51J(TE85L,F) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-25-5

极性

NPN

功耗

300 mW

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

120 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

200

最大电流放大倍数

700

额定功率(Max)

300 mW

耗散功率(Max)

300 mW

HN4C51J(TE85L,F) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

HN4C51J(TE85L,F) 符合标准

HN4C51J(TE85L,F) 数据手册

HN4C51J(TE85L,F) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

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HN4C51JTE85 数据手册

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