器件3D模型

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HP8K24TB 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

HSOP-8

描述:

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HP8K24TB 数据手册 (18 页)

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HP8K24TB 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

HSOP-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0067 Ω

功耗

3 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

150 ℃

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HP8K24TB 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

150℃ (TJ)

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HP8K24TB 符合标准

HP8K24TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

18 页 / 4.26 MByte

HP8K24 数据手册

HP8K24TB 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 27 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.5 V

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