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HUF75307D3ST
19.347
HUF75307D3ST 数据手册 (10 页)
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HUF75307D3ST 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
45W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
上升时间
40 ns
输入电容值(Ciss)
250pF @25V(Vds)
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

HUF75307D3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75307D3ST 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte

HUF75307D3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
15A , 55V , 0.090 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Freescale(飞思卡尔)
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
15A , 55V , 0.090 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 15A, 55V, 0.090 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
HUF75307D3ST N沟道MOSFET 55V 1.599A TO-252/D-PAK marking/标记 75307D
ON Semiconductor(安森美)
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