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HUF75339G3
6.289
HUF75339G3 数据手册 (10 页)
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HUF75339G3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-247-3
功耗
200W (Tc)
漏源极电压(Vds)
55 V
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
200W (Tc)

HUF75339G3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75339G3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.3 MByte

HUF75339 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75339P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
HUF75339P3 系列 N沟道 55 V 0.012 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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