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HUF75339P3
1.05
HUF75339P3 数据手册 (10 页)
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HUF75339P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
75.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.012 Ω
极性
N-Channel
功耗
200 W
阈值电压
4 V
输入电容
2.00 nF
栅电荷
60.0 nC
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
75.0 A
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
200 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200W (Tc)

HUF75339P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75339P3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.73 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.06 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.14 MByte

HUF75339 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75339P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
HUF75339P3 系列 N沟道 55 V 0.012 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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