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HUF75645S3S
1.659
HUF75645S3S 数据手册 (12 页)
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HUF75645S3S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
310W (Tc)
漏源极电压(Vds)
100 V
上升时间
117 ns
输入电容值(Ciss)
3790pF @25V(Vds)
下降时间
97 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
310W (Tc)

HUF75645S3S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Rail
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUF75645S3S 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.73 MByte
ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.73 MByte

HUF75645S3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75645S3ST  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645S3ST, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 100V , 0.014 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
75A , 100V , 0.014 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Freescale(飞思卡尔)
Intersil(英特矽尔)
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