￥ 6.353

HUF75652G3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75652G3, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF75652G3 数据手册 (10 页)

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HUF75652G3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0067 Ω

功耗

515 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

195 ns

输入电容值(Ciss)

7585pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

515 W

下降时间

190 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

515 W

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HUF75652G3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.87 mm

宽度

4.82 mm

高度

20.82 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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HUF75652G3 符合标准

HUF75652G3 概述

HUF75652G3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.33 MByte

HUF75652G3 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

12 页 / 0.52 MByte

HUF75652G3 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 1.51 MByte

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