器件3D模型

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HUF76407DK8T 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

3.5A ， 60V ， 0.105欧姆，双N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET 3.5A, 60V, 0.105 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HUF76407DK8T 数据手册 (12 页)

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HUF76407DK8T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

3.50 A

封装

SOIC-8

通道数

2 Channel

漏源极电阻

75 mΩ

极性

N-Channel

功耗

2.5 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.50 A

输入电容值(Ciss)

330pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

2.5 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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HUF76407DK8T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.75 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HUF76407DK8T 符合标准