￥ 0.402

HUFA76409D3ST 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA76409D3ST, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

HUFA76409D3ST 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

HUFA76409D3ST 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

功耗

49 W

漏源极电压(Vds)

60 V

上升时间

34 ns

输入电容值(Ciss)

485pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

49 W

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

49 W

查看数据手册 >

HUFA76409D3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39 mm

查看数据手册 >

HUFA76409D3ST 符合标准

HUFA76409D3ST 概述

HUFA76409D3ST 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.81 MByte

HUFA76409D3ST 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.27 MByte

HUFA76409D3 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

17A ， 60V ， 0.071 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

HUFA76409D3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

HUFA76409D3ST 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

HUFA76409D3ST 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA76409D3ST, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

HUFA76409D3S 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

17A ， 60V ， 0.071 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs

HUFA76409D3S 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

HUFA76409D3ST 数据手册

Intersil（英特矽尔）

HUFA76409D3ST_B76008A 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号