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HUFA76413P3
0.661
HUFA76413P3 数据手册 (10 页)
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HUFA76413P3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
22.0 A
封装
TO-220-3
漏源极电阻
41.0 mΩ
极性
N-Channel
功耗
60 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
22.0 A
输入电容值(Ciss)
645pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
60W (Tc)

HUFA76413P3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
10.67 mm
宽度
4.7 mm
高度
16.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

HUFA76413P3 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.2 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

HUFA76413 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
晶体管| MOSFET | N沟道| 60V V( BR ) DSS | 20A I( D) | TO- 252AA TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平UltraFET功率MOSFET的60V , 4.8A , 56mз N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56mз
Fairchild(飞兆/仙童)
N-沟道 60 V 4.8 A 49 mΩ 表面贴装 功率 Mosfet - SOIC-8
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.056 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.056 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
22A , 60V , 0.056 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
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