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IAUT240N08S5N019ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

PG-HSOF-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IAUT240N08S5N019ATMA1 数据手册 (9 页)

IAUT240N08S5N019ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

9 Pin

封装

PG-HSOF-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0015 Ω

功耗

230 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

80 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

7126pF @40V(Vds)

下降时间

36 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

230000 mW

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IAUT240N08S5N019ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IAUT240N08S5N019ATMA1 符合标准

IAUT240N08S5N019ATMA1 概述

IAUT240N08S5N019ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.22 MByte

IAUT240N08S5N019ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IAUT240N08S5N019ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

35 页 / 2.04 MByte

IAUT240N08S5N019 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IAUT240N08S5N019 HSOF-8

IAUT240N08S5N019ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 80 V, 0.0015 ohm, 10 V, 3 V

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