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IAUT300N10S5N015ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

PG-HSOF-8

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IAUT300N10S5N015ATMA1 数据手册 (9 页)

IAUT300N10S5N015ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

9 Pin

封装

PG-HSOF-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0013 Ω

功耗

375 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

15 ns

输入电容值(Ciss)

12316pF @50V(Vds)

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

375000 mW

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IAUT300N10S5N015ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IAUT300N10S5N015ATMA1 符合标准

IAUT300N10S5N015ATMA1 概述

IAUT300N10S5N015ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.21 MByte

IAUT300N10S5N015ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IAUT300N10S5N015 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IAUT300N10S5N015 -

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晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 100 V, 0.0013 ohm, 10 V, 3 V

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