￥ 3.32

IDD12SG60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

TVS二极管

封装:

TO-252-3

描述:

第三代的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IDD12SG60C 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

IDD12SG60C 数据手册 (7 页)

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IDD12SG60C 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定功率

125 W

负载电流

12 A

反向恢复时间

0 ns

最大正向浪涌电流

59 A

正向电压(Max)

2.1V @12A

正向电流(Max)

12 A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

125000 mW

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IDD12SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.26 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IDD12SG60C 符合标准

IDD12SG60C 数据手册

Infineon（英飞凌）

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