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IDH04G65C5
0.848
IDH04G65C5 数据手册 (11 页)
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IDH04G65C5 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
正向电压
1.7V @4A
功耗
48 W
热阻
3.1℃/W (RθJC)
反向恢复时间
0 ns
正向电流
4 A
最大正向浪涌电流
38 A
正向电压(Max)
2.1 V
正向电流(Max)
4 A
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
48000 mW

IDH04G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.2 mm
宽度
4.5 mm
高度
15.95 mm

IDH04G65C5 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 1.14 MByte

IDH04G65 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDH04G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDH04G65C5XKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 12 A, 6.9 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
Infineon 二极管 IDH04G65C5XKSA2 肖特基, Io=4A, 2引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
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