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器件3D模型
¥ 2.054
IDH10G65C6 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
封装:
TO-220-2
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IDH10G65C6 数据手册 (10 页)
IDH10G65C6 数据手册
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IDH10G65C6 技术参数、封装参数
类型
描述
引脚数
2 Pin
封装
TO-220-2
正向电压
1.35 V
正向电流
24000 mA
正向电流(Max)
24000 mA
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
72000 mW
查看数据手册 >
IDH10G65C6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
查看数据手册 >
IDH10G65C6 符合标准
IDH10G65C6 数据手册
IDH10G65C6
数据手册
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.92 MByte
IDH10G65C6
其他数据使用手册
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15 页 / 1.35 MByte
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INFINEON IDH10G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
IDH10G65
C5
数据手册
Infineon(英飞凌)
INFINEON IDH10G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 10 A, 15 nC, TO-220
IDH10G65
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二极管, 碳化硅肖特基, CoolSiC 6G 650V Series, 单, 650 V, 24 A, 14.7 nC, TO-220
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