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IDH16G65C5XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

TVS二极管

封装:

TO-220-2

描述:

肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IDH16G65C5XKSA1 数据手册 (11 页)

封装尺寸在9 页

IDH16G65C5XKSA1 数据手册 (11 页)

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IDH16G65C5XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

2 Pin

封装

TO-220-2

额定功率

129 W

负载电流

16 A

正向电压

1.7V @16A

功耗

129 W

反向恢复时间

0 ns

正向电流

16000 mA

最大正向浪涌电流

124 A

正向电流(Max)

16 A

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

129000 mW

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IDH16G65C5XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IDH16G65C5XKSA1 符合标准

IDH16G65C5XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 1.14 MByte

IDH16G65C5XKSA1 用户编程技术手册

Infineon（英飞凌）

18 页 / 0.29 MByte

IDH16G65C5XKSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

36 页 / 0.78 MByte

IDH16G65C5 数据手册

Infineon（英飞凌）

thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

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肖特基二极管与整流器 SIC DIODES

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Infineon（英飞凌）

thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器，Infineon

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