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IHW20T120
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IHW20T120 数据手册 (14 页)
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IHW20T120 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-247-3
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
反向恢复时间
140 ns
额定功率(Max)
178 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

IHW20T120 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
高度
20.95 mm

IHW20T120 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.42 MByte
Infineon(英飞凌)
14 页 / 0.83 MByte

IHW20 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW20N120R3  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 288 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IHW20N120R3FKSA1  单晶体管, IGBT, 20 A, 1.7 V, 310 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.55 V, 288 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.35 V, 150 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon(英飞凌)
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
Infineon(英飞凌)
逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
Infineon(英飞凌)
IGBT的沟槽场终止和技术,柔软,快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 310 W, 1.35 kV, TO-247, 3 引脚
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