IKB15N60TATMA1

￥ 1.557

IKB15N60TATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263-3

描述:

IGBT 晶体管 Infineon"s TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IKB15N60TATMA1 数据手册 (13 页)

IKB15N60TATMA1 数据手册 (13 页)

或点击图片查看大图

IKB15N60TATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

功耗

130000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

34 ns

额定功率(Max)

130 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

130000 mW

查看数据手册 >

IKB15N60TATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

IKB15N60TATMA1 符合标准

IKB15N60TATMA1 海关信息

IKB15N60TATMA1 数据手册

IKB15N60TATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

13 页 / 0.68 MByte

IKB15N60TATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IKB15N60TATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IKB15N60TATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 2 MByte

IKB15N60 数据手册

IKB15N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode

IKB15N60TATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 晶体管 Infineon"s TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery Emitter Controlled Diod

IKB15N60TXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

06035C104KAT2A TOP234YN 2N7002KT1G TLV73333PDBVR L298HN SMAJ40CA IRFP4568PBF TLV62565DBVR CL05A104KA5NNNC

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z