IMZ120R030M1HXKSA1

￥ 13.828

IMZ120R030M1HXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-247

描述:

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IMZ120R030M1HXKSA1 数据手册 (17 页)

IMZ120R030M1HXKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TO-247

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.03 Ω

功耗

227 W

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

工作温度(Max)

175 ℃

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IMZ120R030M1HXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

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IMZ120R030M1HXKSA1 符合标准

IMZ120R030M1HXKSA1 数据手册

IMZ120R030M1HXKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IMZ120R030M1 数据手册

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Infineon（英飞凌）

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔

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