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IMZ1A
0.028
IMZ1A 数据手册 (5 页)
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IMZ1A 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-163
极性
NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.15A
最小电流放大倍数
120

IMZ1A 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
最小包装数量
3000

IMZ1A 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
5 页 / 0.07 MByte

IMZ1 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  IMZ1AT108  双极晶体管阵列, 双路, NPN, PNP, 50 V, 300 mW, 150 mA, 120 hFE, SOT-457
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
IMZ1A NPN+PNP复合三极管 60V/-60V 150mA/-150mA 120~560 SOT-163/SMT6/SC-74 标记Z1 用于开关/数字电路
Infineon(英飞凌)
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 56 A, 0.03 ohm, TO-247, 通孔
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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