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IPA50R250CPXK
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IPA50R250CPXK 数据手册 (10 页)
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IPA50R250CPXK 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
13A
上升时间
14 ns
下降时间
11 ns

IPA50R250CPXK 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA50R250CPXK 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.53 MByte

IPA50R250 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R250CPXKSA1, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA50R250CP  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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