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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R120C7XKSA1 Datasheet 文档
IPA60R120C7XKSA1
4.07

IPA60R120C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
32 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
11A
上升时间
7 ns
输入电容值(Ciss)
1500pF @400V(Vds)
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32W (Tc)

IPA60R120C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

IPA60R120C7XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
15 页 / 1.11 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
65 页 / 4.97 MByte
Infineon(英飞凌)
74 页 / 12.08 MByte

IPA60R120C7 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPA60R120C7 TO-220
Infineon(英飞凌)
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