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Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon(英飞凌) > IPA60R280E6XKSA1 Datasheet 文档
IPA60R280E6XKSA1
0.879
IPA60R280E6XKSA1 数据手册 (17 页)
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IPA60R280E6XKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定功率
32 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.25 Ω
极性
N-CH
功耗
32 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
13.8A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
950pF @100V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
32W (Tc)

IPA60R280E6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA60R280E6XKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
17 页 / 1.07 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.11 MByte

IPA60R280E6 数据手册

Infineon(英飞凌)
600V的CoolMOS E6功率晶体管 600V CoolMOS E6 Power Transistor
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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