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IPA60R520CPXKSA1
1.2
IPA60R520CPXKSA1 数据手册 (10 页)
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IPA60R520CPXKSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
30W (Tc)
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
6.8A
输入电容值(Ciss)
630pF @100V(Vds)
耗散功率(Max)
30W (Tc)

IPA60R520CPXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IPA60R520CPXKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.39 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
33 页 / 1.03 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA60R520 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R520E6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.1 A, 600 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IPA60R520CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.8 A, 650 V, 0.47 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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