￥ 0.936

IPA65R280E6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220

描述:

INFINEON IPA65R280E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPA65R280E6XKSA1 数据手册 (19 页)

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IPA65R280E6XKSA1 数据手册 (19 页)

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IPA65R280E6XKSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

额定功率

32 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

32 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

13.8A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

950pF @100V(Vds)

下降时间

9 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

32000 mW

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IPA65R280E6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Rail, Tube

长度

10.65 mm

宽度

4.85 mm

高度

16.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPA65R280E6XKSA1 符合标准

IPA65R280E6XKSA1 概述

IPA65R280E6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 1.98 MByte

IPA65R280E6XKSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.68 MByte

IPA65R280E6XKSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.11 MByte

IPA65R280E6 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA65R280E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

IPA65R280E6XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPA65R280E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

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