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IPA70R900P7S
0.496

IPA70R900P7S 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
上升时间
4.7 ns
输入电容值(Ciss)
211pF @400V(Vds)
下降时间
31 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
20500 mW

IPA70R900P7S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃

IPA70R900P7S 数据手册

Infineon(英飞凌)
13 页 / 0.9 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 3.22 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

IPA70R900P7 数据手册

Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 700 V, 0.74 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 700V 6A
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