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IPA90R1K2C3XKSA2
1.055
IPA90R1K2C3XKSA2 数据手册 (10 页)
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IPA90R1K2C3XKSA2 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-220
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.94 Ω
功耗
31 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
900 V
工作温度(Max)
150 ℃

IPA90R1K2C3XKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

IPA90R1K2C3XKSA2 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.32 MByte

IPA90R1K2C3 数据手册

Infineon(英飞凌)
900V,3.1A,N沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R1K2C3XKSA1, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
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