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IPB020N10N5LFATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB020N10N5LFATMA1 数据手册 (11 页)

IPB020N10N5LFATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0018 Ω

功耗

313 W

阈值电压

3.3 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

28 ns

输入电容值(Ciss)

650pF @50V(Vds)

下降时间

82 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

313000 mW

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IPB020N10N5LFATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IPB020N10N5LFATMA1 符合标准

IPB020N10N5LFATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.98 MByte

IPB020N10N5LFATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB020N10N5LFATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB020N10N5LFATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

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