￥ 3.244

IPB027N10N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB027N10N3G 数据手册 (10 页)

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IPB027N10N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263

通道数

1 Channel

极性

N-Channel

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

输入电容值(Ciss)

11100pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 W

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IPB027N10N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

10.31 mm

宽度

9.45 mm

高度

4.57 mm

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IPB027N10N3G 符合标准

IPB027N10N3G 概述

IPB027N10N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.51 MByte

IPB027N10N3G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.51 MByte

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