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IPB065N15N3GXT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB065N15N3GXT 数据手册 (9 页)

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IPB065N15N3GXT 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

D2PAK

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

150 V

连续漏极电流(Ids)

130A

上升时间

35 ns

下降时间

14 ns

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IPB065N15N3GXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB065N15N3GXT 符合标准

IPB065N15N3GXT 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.62 MByte

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