IPB072N15N3G E8187 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IPB072N15N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V

OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

INFINEON  IPB072N15N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 5.8 mohm, 10 V, 3 V