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IPB072N15N3GE818XT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB072N15N3GE818XT 数据手册 (12 页)

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IPB072N15N3GE818XT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

7.2 mΩ

功耗

300 W

漏源击穿电压

150 V

上升时间

35 ns

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IPB072N15N3GE818XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

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IPB072N15N3GE818XT 符合标准

IPB072N15N3GE818XT 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.71 MByte

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