IPB083N10N3GXT 数据手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IPB083N10N3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

INFINEON  IPB083N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0072 ohm, 10 V, 2.7 V

OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS?3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)