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IPB108N15N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3-2

描述:

OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB108N15N3G 数据手册 (11 页)

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IPB108N15N3G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3-2

极性

N-Channel

功耗

214 W

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IPB108N15N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

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IPB108N15N3G 符合标准

IPB108N15N3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.71 MByte

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