￥ 3.086

IPB180N10S4-02 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

100V,180A,2.5mΩ,N沟道汽车MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPB180N10S4-02 数据手册 (9 页)

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IPB180N10S4-02 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-7

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.5 mΩ

极性

N-CH

功耗

300 W

阈值电压

2 V

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

连续漏极电流(Ids)

180A

上升时间

9 ns

下降时间

40 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IPB180N10S4-02 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPB180N10S4-02 符合标准

IPB180N10S4-02 海关信息

IPB180N10S4-02 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.2 MByte

IPB180N10S4-02 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPB180N10S4-02 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPB180N10S4-02 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.0029 ohm, 10 V, 2.7 V

IPB180N10S4-02 数据手册

Infineon（英飞凌）

100V,180A,2.5mΩ,N沟道汽车MOSFET

IPB180N10S403ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

N沟道 100V 180A

IPB180N10S4-03 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB180N10S4-03 TO-263-7

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