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IPB60R040C7ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB60R040C7ATMA1 数据手册 (30 页)

典型应用电路图在15 页

IPB60R040C7ATMA1 数据手册 (30 页)

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IPB60R040C7ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.034 Ω

极性

N-CH

功耗

227 W

阈值电压

3.5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

37.9A

上升时间

11 ns

下降时间

3.2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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IPB60R040C7ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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IPB60R040C7ATMA1 符合标准

IPB60R040C7ATMA1 概述

IPB60R040C7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 1.58 MByte

IPB60R040C7ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB60R040C7ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

65 页 / 4.97 MByte

IPB60R040C7ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB60R040C7 数据手册

Infineon（英飞凌）

场效应管(MOSFET) IPB60R040C7 TO-263-3

IPB60R040C7ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.034 ohm, 10 V, 3.5 V

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