￥ 1.35

IPB65R190C6ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPB65R190C6ATMA1 数据手册 (19 页)

封装尺寸在14 页 15 页 16 页 17 页 18 页

IPB65R190C6ATMA1 数据手册 (19 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IPB65R190C6ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定功率

151 W

通道数

1 Channel

极性

N-CH

功耗

151 W

漏源极电压(Vds)

650 V

连续漏极电流(Ids)

20.2A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

1620pF @100V(Vds)

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

151W (Tc)

查看数据手册 >

IPB65R190C6ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10 mm

宽度

9.25 mm

高度

4.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IPB65R190C6ATMA1 符合标准

IPB65R190C6ATMA1 概述

IPB65R190C6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

19 页 / 2.16 MByte

IPB65R190C6ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB65R190C6ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

IPB65R190C6ATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB65R190C6 数据手册

Infineon（英飞凌）

650V的CoolMOS C6功率晶体管 650V CoolMOS C6 Power Transistor

IPB65R190C6ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号