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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > IPC90N04S53R6ATMA1 Datasheet 文档
IPC90N04S53R6ATMA1
0.455

IPC90N04S53R6ATMA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
PG-TDSON-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.003 Ω
功耗
63 W
阈值电压
2.8 V
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
2 ns
输入电容值(Ciss)
1500pF @25V(Vds)
下降时间
4 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
63000 mW

IPC90N04S53R6ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

IPC90N04S53R6ATMA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.38 MByte
Infineon(英飞凌)
28 页 / 4.06 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

IPC90N04S53R6 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPC90N04S5-3R6 TDSON-8-EP(5x6)
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 40 V, 0.003 ohm, 10 V, 2.8 V
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