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IPD06N03LAG
0.195
IPD06N03LAG 数据手册 (12 页)
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IPD06N03LAG 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
50.0 A
封装
TO-252-3
漏源极电压(Vds)
25 V
输入电容值(Ciss)
2653pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
83 W

IPD06N03LAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)

IPD06N03LAG 数据手册

Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.49 MByte

IPD06N03 数据手册

Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
Infineon(英飞凌)
IPD06N03L N沟道MOSFET 25V 90A TO-252/D-PAK marking/标记 06N03L 高功率/高电流处理能力/极低的RDS
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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