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IPD110N12N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD110N12N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 120 V, 0.0092 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD110N12N3 G 数据手册 (39 页)

引脚图在5 页 6 页Hot

封装尺寸在30 页 32 页 33 页

典型应用电路图在1 页 22 页 23 页 24 页 25 页 26 页

原理图在15 页 16 页 17 页

IPD110N12N3 G 数据手册 (39 页)

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IPD110N12N3 G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0092 Ω

极性

N-Channel

功耗

136 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

120 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

3240pF @60V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

136 W

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IPD110N12N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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IPD110N12N3 G 符合标准

IPD110N12N3 G 概述

IPD110N12N3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

39 页 / 1.45 MByte

IPD110N12N3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPD110N12N3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPD110N12N3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPD110N12N3 G 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

5 页 / 0.05 MByte

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