IPD33CN10NG

￥ 0.331

IPD33CN10NG 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3-11

描述:

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

IPD33CN10NG 数据手册 (12 页)

IPD33CN10NG 数据手册 (12 页)

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IPD33CN10NG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3-11

极性

N-Channel

功耗

58.0 W

输入电容值(Ciss)

1180pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

58 W

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IPD33CN10NG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.223 mm

高度

2.413 mm

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IPD33CN10NG 符合标准

IPD33CN10NG 概述

IPD33CN10NG 数据手册

IPD33CN10NG 数据手册

Infineon（英飞凌）

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IPD33CN10NGBUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

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