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IPD33CN10NGBUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NGBUMA1, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD33CN10NGBUMA1 数据手册 (12 页)

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IPD33CN10NGBUMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

58W (Tc)

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

27A

输入电容值(Ciss)

1570pF @50V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

58W (Tc)

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IPD33CN10NGBUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

6.73 mm

宽度

6.223 mm

高度

2.413 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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IPD33CN10NGBUMA1 符合标准

IPD33CN10NGBUMA1 概述

IPD33CN10NGBUMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

12 页 / 0.83 MByte

IPD33CN10NGBUMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

IPD33CN10NGBUMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.37 MByte

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