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IPD50N06S2L-13 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD50N06S2L-13 数据手册 (8 页)

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IPD50N06S2L-13 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

10.2 mΩ

极性

N-CH

功耗

136 W

阈值电压

1.2 V

漏源极电压(Vds)

55 V

漏源击穿电压

55 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

29 ns

输入电容值(Ciss)

1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

136 W

下降时间

12 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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IPD50N06S2L-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.3 mm

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IPD50N06S2L-13 符合标准

IPD50N06S2L-13 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.14 MByte

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Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD50N06S2L-13 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPD50N06S2L-13 开发手册

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